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產品說明:IGBT 模塊 三相反相器,帶制動器 1200 V 50 A 20 mW 通孔 26-DIP
封裝:26-DIP產品說明:IGBT 模塊 三相反相器,帶制動器 1200 V 50 A 20 mW 通孔 26-DIP
封裝:26-DIP產品說明:IGBT 模塊 三相反相器,帶制動器 1200 V 25 A 20 mW 通孔 26-DIP
封裝:26-DIP產品說明:IGBT 模塊 三相反相器,帶制動器 1200 V 35 A 20 mW 通孔 26-DIP
封裝:26-DIP產品說明:N-通道650V 32A(Tc) 171W(Tc) 表面貼裝型
封裝:TO-263-7產品說明:N-通道 600 V 23A (Tc) 390W (Tc) 表面貼裝
封裝:PG-HSOF-8-2產品說明:N-通道 25 V 16A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 37W (Tc) 表面安裝
封裝:8-PowerTDFN產品說明:N-通道 100 V 31A (Ta), 260A (Tc) 273W (Tc) 表面貼裝
封裝:PG-HSOF-8-1產品說明:N-通道650V 28A(Tc) 126W(Tc) 表面貼裝型
封裝:TO-263-8產品說明:N溝道晶體管 60 V 11A (Ta), 20A (Tc) 2.1W (Ta), 50W (Tc) 表面安裝
封裝:8-PowerTDFN產品說明:功率MOSFET,單N溝道,40 V,0.67 mOhms,420 A
封裝:DFNW-8產品說明:碳化硅(SiC)MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L
封裝:TO-247-3產品說明:MOSFET - 陣列 40V 15A(Ta),60A(Tc) 1.7W(Ta),26W(Tc) 表面貼裝型 12-WQFN(3.3x3.3)
封裝:WQFN-12產品說明:碳化硅(SiC)MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L
封裝:D2PAK-7產品說明:碳化硅(SiC)MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO247-4L
封裝:TO-247-4產品說明:MOSFET - 功率,單,N-通道,TOLL,80 V,1.05 mΩ,351 A
封裝:8-HPSOF電話咨詢:86-755-83294757
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