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產(chǎn)品說明:256Mb SEMPER? NOR 閃存
封裝:PG-BGA-24產(chǎn)品說明:256Mb SEMPER? NOR 閃存
封裝:PG-BGA-24產(chǎn)品說明:256Mb SEMPER? NOR 閃存
封裝:PG-BGA-24產(chǎn)品說明:1200V 600A 共發(fā)射極 IGBT 模塊
封裝:模塊產(chǎn)品說明:1200V 450A 共發(fā)射極 IGBT 模塊
封裝:模塊產(chǎn)品說明:650V,26mΩ,碳化硅 CoolSiC? MOSFET 晶體管,TO-247-4
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說明:650V、10mΩ、碳化硅 CoolSiC? MOSFET 晶體管,TO-247-4
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說明:650V、60mΩ、碳化硅 CoolSiC? MOSFET 晶體管,TO-247-3
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:CoolSiC? MOSFET 分立式 1200 V G2,采用 TO-247 4 引腳高爬電封裝
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說明:650V、33mΩ、碳化硅 CoolSiC? MOSFET 晶體管,TO-247-3
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:CoolSiC? MOSFET 分立式 1200 V G2,采用 TO-247 4 引腳高爬電封裝
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說明:650V、26mΩ、碳化硅 CoolSiC? MOSFET 晶體管,TO-247-3
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:650V、10mΩ、碳化硅 CoolSiC? MOSFET 晶體管,TO-247-3
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:670 V、70 A TRENCHSTOP? IGBT7 PR7,帶反并聯(lián)二極管,采用 TO-247-3 針高爬電和間隙封裝
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:670 V、60 A TRENCHSTOP? IGBT7 PR7,帶反并聯(lián)二極管,采用 TO-247-3 針高爬電和間隙封裝
封裝:TO-247-3電話咨詢:86-755-83294757
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