商品名稱:GNP1150TCA-ZE2
數(shù)據(jù)手冊:GNP1150TCA-ZE2.pdf
品牌:ROHM
年份:23+
封裝:8-PowerDFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
GNP1150TCA-ZE2采用低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)來提高電源轉(zhuǎn)換效率和減小尺寸。該款高度可靠的GNP1 FET具有內(nèi)置ESD保護和出色的散熱性能,方便安裝。應(yīng)用包括高開關(guān)頻率和高密度轉(zhuǎn)換器。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):GaNFET(氮化鎵)
漏源電壓(Vdss):650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):11A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,5.5V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):195 毫歐 @ 1.9A,5.5V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 18mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):2.7 nC @ 6 V
Vgs(最大值):+6V,-10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):112 pF @ 400 V
功率耗散(最大值):62.5W(Tc)
工作溫度:150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:DFN8080AK
封裝/外殼:8-PowerDFN
應(yīng)用
● 高切換頻率轉(zhuǎn)換器
● 高密度轉(zhuǎn)換器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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羅姆(ROHM)株式會社是全球知名的半導(dǎo)體廠商之一,總部所在地設(shè)在日本京都市,ROHM設(shè)計和制造半導(dǎo)體、集成電路以及其它電子元器件。這些元件在快速變化、不斷增長的無線、計算機、汽車和消費電子市場均占有一席之地。 一些最具創(chuàng)新意義的設(shè)備和裝置都采用了 ROHM 產(chǎn)品。
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RGA80TSX2HRC11 是一種 IGBT 晶體管,具有低開關(guān)損耗和低傳導(dǎo)損耗的特點。它是汽車應(yīng)用中電動壓縮機和高壓加熱器以及工業(yè)應(yīng)用中變頻器的理想選擇。RGA80TSX2HRC11 的特點通過 AEC-Q101 認證短路耐受時間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復(fù) FRD無鉛鍍鉛;符合 R…RGA80TSX2EHRC11
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RGA80TRX2HRC15 是一種 IGBT 晶體管,具有低開關(guān)損耗和低傳導(dǎo)損耗的特點。它是汽車應(yīng)用中電動壓縮機和高壓加熱器以及工業(yè)應(yīng)用中變頻器的理想選擇。RGA80TRX2HRC15 的特點通過 AEC-Q101 認證短路耐受時間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復(fù) FRD無鉛鍍鉛;符合 R…RGA80TRX2EHRC15
RGA80TRX2EHRC15 是一種 IGBT 晶體管,具有低開關(guān)損耗和低傳導(dǎo)損耗的特點。它是汽車應(yīng)用中電動壓縮機和高壓加熱器以及工業(yè)應(yīng)用中變頻器的理想選擇。RGA80TRX2EHRC15 的特點通過 AEC-Q101 認證短路耐受時間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復(fù) FRD無鉛鍍鉛;符合…電話咨詢:86-755-83294757
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