商品名稱：PIC32CM2532JH01064T-E/PT
數(shù)據(jù)手冊：
PIC32CM2532JH01064T-E/PT.pdf
品牌：Microchip
年份：23+
封裝：TQFP-64
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
PIC32CM2532JH01064T-E/PT 是 32 位 Arm Cortex-M0+ 微控制器 IC，最多有兩個控制器局域網(wǎng) (CAN) 接口。它具有廣受歡迎的功能，可擴展高達 512KB 的閃存和 64KB 的內存選項，適用于需要功能安全、增強觸摸或安全性的設計。
產品特性
閃存和 SRAM 均具有故障注入 ECC 功能
針對 SRAM 的內存內置自測試 (mBIST)
許多串行通信接口上的環(huán)回功能
時鐘故障檢測 (CFD)
基于硬件的循環(huán)冗余校驗 (CRC)
內存保護單元 (MPU)
外設訪問控制器 (PAC)
增強型電容式觸摸
支持互電容和自電容感應
每個電極一個引腳，無需外部元件
可添加按鈕、滾輪、滑塊和表面
觸摸時喚醒
8 KB 獨立數(shù)據(jù)閃存，用于非易失性數(shù)據(jù)存儲
應用
工業(yè)應用
電機控制
輸入/輸出板
工業(yè)自動化
可編程邏輯控制器 (PLC)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
BGA
3000
TriCore? TC17xx 微控制器 IC 32 位單核 240MHz 4MB（4M x 8） 閃存 PG-LFBGA-292-6
Renesas
LFQFP-100
1300
M16C/60 M16C? M16C/60/65 微控制器 IC 16 位 32MHz 768KB (768K x 8) FLASH 100-LFQFP (14x14)
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Microchip Technology Incorporated（納斯達克股市代號：MCHP）美國微芯半導體是全球領先的單片機和模擬半導體供應商，為全球數(shù)以千計的消費類產品提供低風險的產品開發(fā)、更低的系統(tǒng)總成本和更快的產品上市時間。Microchip公司自成立以來，就密切關注嵌入控制半導體產品市…
VSC7425XJG-02
VSC7425XJG-02是業(yè)界首款完全集成的 18 端口千兆以太網(wǎng) (GE) 交換機，在單個封裝中集成了 12 個銅纜 PHY。與 4 端口 PHY VSC8514 配合使用，只需兩個集成電路即可設計出 18 端口交換機。VSC7425 采用全新 65 納米 SimpliPHY 技術，是業(yè)界最具成本效益、功耗最低的器件之一…
VSC7552TSN-V/5CC
VSC7552TSN-V/5CC SparX-5i-128 是一款 128 Gbps 工業(yè)以太網(wǎng)交換機，支持 1G、2.5G、5G、10G 和 25G 以太網(wǎng)端口組合。該器件提供豐富的工業(yè)以太網(wǎng)交換功能，包括完整的 TSN 功能集、L2 交換、L3 路由、無縫冗余和高精度定時。它采用多級多功能內容感知處理器（VCAP）技術…
VSC7427XJG-02
VSC7427XJG-02是業(yè)界首款完全集成的 26 端口千兆以太網(wǎng) (GE) 交換機，在單個封裝中集成了 12 個銅纜 PHY。與 12 端口 PHY VSC8512 配合使用，只需兩個集成電路即可設計出 26 端口交換機。VSC7427 采用新型 65 納米 SimpliPHY 技術，是業(yè)內最具成本效益、功耗最低的器件之…
APT80GA90LD40
APT80GA90LD40是一款高速穿透式開關模式 IGBT器件。通過領先的技術硅設計和壽命控制流程，實現(xiàn)低 Eoff。減少 Eoff - VCE(ON) 的權衡，使其與其他 IGBT 技術相比，具有更優(yōu)越的效率。技術規(guī)格APT80GA90LD40的主要規(guī)格包括：IGBT 類型：PT電壓 - 集射極擊穿（最大值）：900…
APT75GN60LDQ3G
APT75GN60LDQ3G是一款600 V 溝槽型場截止型IGBT，主要應用于功率控制領域。基本參數(shù)IGBT 類型：溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：155 A電流 - 集電極脈沖 (Icm)：225 A不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：1.85V @ 15V，75A…
APT50GN60BDQ2G
APT50GN60BDQ2G是由Microchip推出的一款采用TO-247封裝的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)，具有FLANGE MOUNT結構，適用于各種工業(yè)應用中的緊湊型設計需求。技術參數(shù)APT50GN60BDQ2G的主要參數(shù)如下：IGBT 類型：溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V電流 - 集電極 (Ic)（…電話咨詢：86-755-83294757
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