商品名稱:1EDN7126GXTMA1
數(shù)據(jù)手冊(cè):1EDN7126GXTMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:10-VFDFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
1EDN7126GXTMA1是一款單通道柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路,經(jīng)過優(yōu)化,可用于驅(qū)動(dòng)英飛凌 CoolGaN? 肖特基柵極。HEMT 以及其他 GaN SG HEMT 和 Si MOSFET。該柵極驅(qū)動(dòng)器具有多項(xiàng)關(guān)鍵特性,可實(shí)現(xiàn)具有快速開關(guān)晶體管的高性能系統(tǒng)設(shè)計(jì),包括真正的差分輸入TDI?、四種驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度選項(xiàng)、有源米勒箝位、自舉電壓箝位和可調(diào)電荷泵。
產(chǎn)品屬性
DigiKey 可編程:未驗(yàn)證
驅(qū)動(dòng)配置:高壓側(cè)或低壓側(cè)
通道類型:獨(dú)立式
驅(qū)動(dòng)器數(shù):2
柵極類型:N 溝道 MOSFET
電壓 - 供電:4.2V ~ 11V
電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):1.5A,1.5A
輸入類型:非反相
上升/下降時(shí)間(典型值):4ns,4ns
工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:10-VFDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝:PG-VSON-10-4
應(yīng)用
● 單通道
● 同步整流器
● E 級(jí)諧振無線電源
● 直流-直流轉(zhuǎn)換器
● BLDC/PMSM 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
● D 類音頻放大器
● D 類諧振無線電源
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…ISZ056N03LF2S
ISZ056N03LF2S是(Infineon)推出的StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有 72 A 電流,主要針對(duì)低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。ISZ056N03LF2S具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET…ISZ033N03LF2S
ISZ033N03LF2S是(Infineon)推出的109 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,主要針對(duì)低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。以下是其關(guān)鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):20A(Ta),…IPD030N03LF2S
IPD030N03LF2S是【Infineon】推出的一款99 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。IPD030N03LF2S主要針對(duì)低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。以下是其核心特性:針對(duì)各種應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化N溝…IPD040N03LF2S
IPD040N03LF2S是一款73 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,主要針對(duì)低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。該設(shè)備具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。IPD040N03LF2S典型應(yīng)用包括開關(guān)模式電源 (SMPS)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池供電設(shè)…IPT65R025CM8
IPT65R025CM8是一款根據(jù)超級(jí)結(jié)(SJ)原理設(shè)計(jì)的101 A、CoolMOS? CM8 650V功率MOSFET,具有低開關(guān)和導(dǎo)通損耗。該款MOSFET具有低振鈴特性及PFC與PWM級(jí)通用性,可實(shí)現(xiàn)快速設(shè)計(jì)導(dǎo)入。IPT65R025CM8采用先進(jìn)的芯片連接技術(shù),可簡化熱管理。此外,IPT65R025CM8符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),且…電話咨詢:86-755-83294757
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