商品名稱:NCID9210R2
數(shù)據(jù)手冊:NCID9210R2.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:16-SOIC
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NCID9210R2雙向陶瓷數(shù)字隔離器是電隔離式全雙工、雙向、高速雙通道數(shù)字隔離器,采用16引腳寬體小外形封裝。NCID9210支持隔離式通信,可以在系統(tǒng)間傳輸數(shù)字信號,卻不會傳導接地環(huán)路和有害電壓。此器件采用獲得專利的電流片外電容器隔離技術和經(jīng)優(yōu)化的IC設計,實現(xiàn)高絕緣和高抗噪性。
規(guī)格
技術:容性耦合
類型:I2C,SPI
隔離式電源:無
通道數(shù):2
輸入 - 側 1/側 2:1/1
通道類型:單向
電壓 - 隔離:5000Vrms
共模瞬變抗擾度(最小值):100kV/μs
數(shù)據(jù)速率:50Mbps
傳播延遲 tpLH / tpHL(最大值):25ns,25ns
脈寬失真(最大):10ns
上升/下降時間(典型值):2,2ns,3ns
電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V
工作溫度:-40°C ~ 125°C
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:16-SOIC(0.295",7.50mm 寬)
供應商器件封裝:16-SOIC
基本產(chǎn)品編號:NCID921
應用
隔離式PWM控制
工業(yè)現(xiàn)場總線通信
微處理器系統(tǒng)接口(SPI、I2C等)
可編程邏輯控制
隔離數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)
電壓電平轉(zhuǎn)換器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅(qū)動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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