商品名稱：NCP81599MNTXG
數據手冊：
NCP81599MNTXG.pdf
品牌：ON
年份：23+
封裝：32-QFN
貨期：全新原裝
庫存數量：2000 件
NCP81599MNTXG USB供電（PD）控制器是一款同步降壓升壓控制器，經過優(yōu)化，可將電池電壓或適配器電壓轉換為筆記本電腦、平板電腦和臺式機系統(tǒng)以及許多其他使用USB PD標準和C?型電纜的消費電子設備所需的電源軌。
規(guī)格
輸出類型：晶體管驅動器
功能：升壓/降壓
輸出配置：正
拓撲：降壓，升壓
輸出數：4
輸出階段：2
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：4.5V ~ 28V
頻率 - 開關：150kHz ~ 1.2MHz
占空比（最大）：-
同步整流器：是
時鐘同步：-
串行接口：I2C
控制特性：限流，使能，頻率控制，電源良好，斜坡，軟啟動，跟蹤
工作溫度：-40°C ~ 125°C（TA）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：32-VFQFN 裸露焊盤
供應商器件封裝：32-QFN（5x5）
基本產品編號：NCP81599
型號
品牌
封裝
數量
描述
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…
UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…
UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝，具有超…
UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET，采用級聯優(yōu)化 MOSFET，是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝，具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…
UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…
NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1：1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管，TO-247-4型號：NVH4L050N170M1封裝：TO-247-4類型：碳化硅（SiC）MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數：FET 類型：N 通道技術：SiC（碳化硅結晶體管）漏源電壓（Vdss）：1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢：86-755-83294757
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