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Micron LPDDR4內(nèi)存優(yōu)化用于解決電池供電應用中的功耗問題。與DDR4相比，這些內(nèi)存器件的峰值帶寬快33%。與標準DRAM相比，LPDDR4內(nèi)存在待機模式下的功耗降低至1/5。這些內(nèi)存器件采用多芯片封裝 (MCP) 和封裝體疊層 (PoP) 設計，可節(jié)省PCB空間。LPDDR4內(nèi)存器件優(yōu)化了x16、x32和x64配置，可為某些應用節(jié)省BOM。

器件：MT53E256M32D1KS-046 AIT:L

產(chǎn)品種類：動態(tài)隨機存取存儲器

數(shù)據(jù)總線寬度: 32 bit

組織: 256 M x 32

存儲容量: 8 Gbit

封裝：200-VFBGA

LPDDR4內(nèi)存在性能、功耗、延遲和物理空間之間實現(xiàn)了完美平衡，因此非常節(jié)能。這些LPDDR4內(nèi)存器件適合用于手持設備、電池供電應用和超便攜設備。

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