商品名稱:NV6117-RA
數(shù)據(jù)手冊:NV6117-RA.pdf
品牌:Navitas
年份:23+
封裝:8-QFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
這款 NV6117-RA GaNFast 功率集成電路針對高頻軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化。場效應(yīng)晶體管、驅(qū)動和邏輯的單片集成創(chuàng)造了一個易于使用的 "數(shù)字輸入、電源輸出 "高性能動力總成構(gòu)件,使設(shè)計(jì)人員能夠創(chuàng)建世界上速度最快、體積最小、效率最高的電源轉(zhuǎn)換器。
最高的 dV/dt 抗擾度、高速集成驅(qū)動以及符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的低外形、低電感、5 x 6 mm SMT QFN 封裝,使設(shè)計(jì)人員能夠利用 Navitas GaN 技術(shù)提供簡單、快速、可靠的解決方案,實(shí)現(xiàn)突破性的功率密度和效率。
產(chǎn)品屬性
開關(guān)類型: 通用
輸出數(shù): 1
比率 - 輸入:輸出: 1:1
輸出配置: 高壓側(cè)或低壓側(cè)
輸出類型: N 通道
接口: PWM
電壓 - 負(fù)載: 650V
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd) :10V ~ 24V
電流 - 輸出(最大值): 12A
導(dǎo)通電阻(典型值): 120 毫歐
輸入類型: 非反相
工作溫度: -40°C ~ 125°C(TC)
安裝類型: 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝: 8-QFN(5x6)
封裝/外殼: 8-PowerVDFN
拓?fù)?應(yīng)用
? 交流-直流、直流-交流、直流-交流
? QR 反激式、PFC、AHB、降壓、升壓、半橋、全 橋、LLC 諧振、D 類
? 無線供電、太陽能微型逆變器、LED 照明、電視 SMPS、服務(wù)器、電信
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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納微半導(dǎo)體(Navitas Semiconductor)成立于 2014 年,專注于開發(fā)超高效的氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)品。 2022年1月,納微半導(dǎo)體宣布開設(shè)新的電動汽車 (EV) 設(shè)計(jì)中心,進(jìn)一步擴(kuò)展到更高功率的氮化鎵市場。氮化鎵功率芯片企業(yè)納微半導(dǎo)體宣布推出全新一代采用GaNSense技術(shù)的智能GaNFas…
G2R1000MT33J
G2R1000MT33J器件是一款3300 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管,其低導(dǎo)通電阻為1000mΩ,有助于減少能量損耗,提高系統(tǒng)效率?;緟?shù)漏源電壓(Vdss)?:3300V?連續(xù)漏極電流(Id)?:4A(在25C時)?驅(qū)動電壓(Vgs)?:最大20V?導(dǎo)通電阻(RdsOn)?:1000mΩ?功率耗散(…NV6115-RA
NV6115-RA芯片的導(dǎo)阻為170mΩ,耐壓650V,支持2MHz開關(guān)頻率,采用5*6mm QFN封裝,節(jié)省面積,得益于NV6115內(nèi)置驅(qū)動器,無需外置驅(qū)動器,更加節(jié)省PCB空間。GaNFast 功率集成電路將反激式、半橋、諧振等傳統(tǒng)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的功能擴(kuò)展到 MHz 以上,使突破性設(shè)計(jì)得以商業(yè)化。產(chǎn)品屬性…NV6132A-RA
NV6132A-RA 這款 GaNFast? 功率集成電路集成了帶集成柵極驅(qū)動的高性能 eMode GaN FET,可實(shí)現(xiàn)前所未有的高頻和高效率運(yùn)行。它還集成了 GaNSense? 技術(shù),可實(shí)時、準(zhǔn)確地檢測電壓、電流和溫度,從而進(jìn)一步提高性能和穩(wěn)健性,這是任何分立氮化鎵或分立硅器件都無法實(shí)現(xiàn)的?!?/span>NV6152-RA
NV6152-RA 這款 GaNFast? 功率集成電路集成了高性能 eMode GaN FET 和集成柵極驅(qū)動,可實(shí)現(xiàn)前所未有的高頻和高效率運(yùn)行。產(chǎn)品特性GaNFast? 功率集成電路- 單片集成柵極驅(qū)動- 寬 VCC 范圍(10 至 30 V)- 可編程導(dǎo)通 dV/dt- 200 V/ns dV/dt 抗擾度- 800 V 額定瞬態(tài)電壓-…NV6153-RA
NV6153-RA GaNFast? 功率集成電路集成了高性能 eMode GaN FET 和集成柵極驅(qū)動,可實(shí)現(xiàn)前所未有的高頻和高效率運(yùn)行。功能特點(diǎn)單片集成柵極驅(qū)動寬 VCC 范圍(10 至 30 V)可編程導(dǎo)通 dV/dt200 V/ns dV/dt 抗擾度800 V 額定瞬態(tài)電壓700 V 額定連續(xù)電壓300 mΩ 低電阻零反向…NV6158
NV6158 GaNFast? 功率集成電路集成了高性能 eMode GaN FET 和集成柵極驅(qū)動,可實(shí)現(xiàn)前所未有的高頻和高效率運(yùn)行。功能特點(diǎn)單片集成柵極驅(qū)動寬 VCC 范圍(10 至 30 V)可編程導(dǎo)通 dV/dt200 V/ns dV/dt 抗擾度800 V 額定瞬態(tài)電壓700 V 額定連續(xù)電壓120 mΩ 低電阻零反向恢復(fù)…電話咨詢:86-755-83294757
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