商品名稱:S70KL1283DPBHI020
數(shù)據(jù)手冊:S70KL1283DPBHI020.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:24-VBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
S70KL1283DPBHI020 是帶有 HYPERBUS? 接口的高速 CMOS 自刷新 DRAM。DRAM 陣列使用需要定期刷新的動態(tài)單元。當(dāng) HYPERBUS 接口主控器(主機)不主動讀寫存儲器時,器件內(nèi)的刷新控制邏輯會管理 DRAM 陣列的刷新操作。由于主機無需管理任何刷新操作,因此在主機看來,DRAM 陣列就像是使用靜態(tài)單元的存儲器,無需刷新即可保留數(shù)據(jù)。這種存儲器更準確的描述是偽靜態(tài) RAM(PSRAM)。
特點
HYPERBUS 接口
支持 1.8V / 3.0V 接口
單端時鐘 - 11 個總線信號
可選差分時鐘 - 12 個總線信號
8 位數(shù)據(jù)總線
硬件復(fù)位
雙向讀寫數(shù)據(jù)選通
在所有事務(wù)開始時輸出,指示刷新延遲
在讀取事務(wù)期間作為讀數(shù)據(jù)選通輸出
在寫入事務(wù)期間作為寫入數(shù)據(jù)屏蔽輸入
可選的 DDR 中心對齊讀取選通
在讀取事務(wù)期間,RWDS 由第二個時鐘偏移,與 CK 相移
相移時鐘用于在讀取數(shù)據(jù)眼內(nèi)移動 RWDS 轉(zhuǎn)換邊沿
最大時鐘速率為 200MHz
DDR - 在時鐘的兩個邊沿上傳輸數(shù)據(jù)
數(shù)據(jù)吞吐量高達 400MBps
可配置的突發(fā)特性
封裝突發(fā)長度
混合選項--64Mb 上的一個包裹突發(fā)后是線性突發(fā)。不支持跨芯片邊界的線性突發(fā)。
可配置的輸出驅(qū)動強度
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
49-FBGA
3000
PSRAM(偽 SRAM) 存儲器 IC 256Mb HyperBus 200 MHz 35 ns 49-FBGA(8x8)
INFINEON
24-FBGA
3000
PSRAM(偽 SRAM) 存儲器 IC 64Mbit SPI - 八 I/O 200 MHz 35 ns 24-FBGA(6x8)
INFINEON
24-FBGA
3000
PSRAM(偽 SRAM) 存儲器 IC 64Mbit SPI - 八 I/O 200 MHz 35 ns 24-FBGA(6x8)
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