商品名稱:IPD60R180P7S
數(shù)據(jù)手冊(cè):IPD60R180P7S.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-TO252-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
IPD60R180P7S的性價(jià)比屬同類最佳,簡(jiǎn)單易用,能夠應(yīng)對(duì)各種應(yīng)用的挑戰(zhàn)。700V和800V CoolMOS P7功率MOSFET開(kāi)發(fā)用于反激式低功耗SMPS應(yīng)用,包括適配器和充電器、照明、音頻SMPS、AUX和工業(yè)電源。600V CoolMOS P7功率MOSFET不僅設(shè)計(jì)用于小功率應(yīng)用,而且還用于大功率SMPS應(yīng)用,如太陽(yáng)能逆變器、服務(wù)器、電信和電動(dòng)汽車充電站。P7 MOSFET經(jīng)過(guò)徹底優(yōu)化,用于硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):600 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):180 毫歐 @ 5.6A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4V @ 280μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):25 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1081 pF @ 400 V
功率耗散(最大值):72W(Tc)
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO252-3
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IPW65R080CFD
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TLD7002-16ES是一款集成保護(hù)輸出級(jí)、具備16通道的器件。IPD60R950C6
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S25FL128SDSBHI213 是一款 128Mbit NOR 閃存。該設(shè)備通過(guò) SPI 接口連接至主機(jī)系統(tǒng)。支持傳統(tǒng)的 SPI 單比特串行輸入/輸出(SingleI/O 或 SIO),以及可選的雙比特(Dual I/O 或 DIO)和四比特(Quad I/O 或 QIO)串行命令。S25FL128SDSBHI213 規(guī)格內(nèi)存類型:非易失性內(nèi)存格…IPB35N10S3L-26
[Infineon] IPB35N10S3L-26:汽車MOSFET——100V,OptiMOS?-T 功率晶體管,PG-TO263-3產(chǎn)品詳情:型號(hào):IPB35N10S3L-26封裝:PG-TO263-3類型:汽車 MOSFET 晶體管IPB35N10S3L-26 規(guī)格參數(shù):產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3)…電話咨詢:86-755-83294757
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