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IPD60R1K5PFD7S功率MOSFET是一項革命性高壓功率MOSFET技術(shù)，采用超結(jié)(SJ)原理設計，由英飛凌首創(chuàng)。最新的CoolMOS? PFD7是一個經(jīng)過優(yōu)化的平臺，根據(jù)消費市場的目標成本敏感型應用而量身定制，例如充電器、適配器、電機驅(qū)動器和照明等。該全新系列不但具有快速開關(guān)超級結(jié)MOSFET的所有優(yōu)勢，而且性價比和易用性極高。該技術(shù)達到最高效率標準，并支持高功率密度，從而助力客戶實現(xiàn)超薄設計。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：3.6A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：1.5 歐姆 @ 700mA，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 40μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：4.6 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：169 pF @ 400 V

功率耗散（最大值）：22W（Tc）

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PG-TO252-3-344

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

應用

● 用于高密度充電器、適配器、照明和電機驅(qū)動等應用中的ZVS拓撲結(jié)構(gòu)

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