商品名稱:IPAN60R280PFD7S
數(shù)據(jù)手冊:IPAN60R280PFD7S.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-TO220-FP
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IPAN60R280PFD7S功率MOSFET是一項革命性高壓功率MOSFET技術(shù),采用超結(jié)(SJ)原理設(shè)計,由英飛凌首創(chuàng)。最新的CoolMOS? PFD7是一個經(jīng)過優(yōu)化的平臺,根據(jù)消費市場的目標成本敏感型應(yīng)用而量身定制,例如充電器、適配器、電機驅(qū)動器和照明等。該全新系列不但具有快速開關(guān)超級結(jié)MOSFET的所有優(yōu)勢,而且性價比和易用性極高。該技術(shù)達到最高效率標準,并支持高功率密度,從而助力客戶實現(xiàn)超薄設(shè)計。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):12A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):280 毫歐 @ 3.6A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 180μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):15.3 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):656 pF @ 400 V
功率耗散(最大值):24W(Tc)
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-FP
封裝/外殼:TO-220-3 整包
應(yīng)用
● 用于高密度充電器中的 ZVStopologies
● 適配器、照明和電動驅(qū)動器等應(yīng)用中使用的 ZVStopologies
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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