商品名稱:IPDQ60R010S7
數(shù)據(jù)手冊:IPDQ60R010S7.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:22-PowerBSOP 模塊
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IPDQ60R010S7 是 600V CoolMOS? S7 SJ MOSFET 晶體管。它能為低頻開關(guān)應(yīng)用帶來最佳性價比。
產(chǎn)品屬性
FET 類型 N 通道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 50A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 12V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值) 10 毫歐 @ 50A,12V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 3.08mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值) 318 nC @ 12 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) 11987 pF @ 300 V
功率耗散(最大值) 694W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝 PG-HDSOP-22-1
封裝/外殼 22-PowerBSOP 模塊
潛在應(yīng)用
固態(tài)繼電器和斷路器
高功率/高性能應(yīng)用中的線路整流,如計算機(jī)、電信、UPS 和太陽能
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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