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STL33N60DM2一款N溝道600 V、0.115 Ohm典型值、21 A MDmesh DM2功率MOSFET，PowerFLAT 8x8 HV封裝。

產(chǎn)品屬性

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 600 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 21A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）： 140 毫歐 @ 10.5A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 5V @ 250μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 43 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±25V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 1870 pF @ 100 V   

功率耗散（最大值）： 150W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 150°C（TJ）  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝： PowerFlat?（8x8）HV  

封裝/外殼： 8-PowerVDFN

應(yīng)用

交換應(yīng)用

• 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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