商品名稱:ISK018NE1LM7AULA1
數(shù)據(jù)手冊:ISK018NE1LM7AULA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:VSON-6
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
ISK018NE1LM7AULA1 是業(yè)內(nèi)首款15 V額定溝槽式功率MOSFET產(chǎn)品組合的一部分,具有2.15 mOhm的極低導(dǎo)通電阻(RDS(on)),同時提供超過500 A的脈沖電流能力,典型熱阻結(jié)到外殼底部(RTHJC)為1.6 K/W。4 mm2的小尺寸封裝可顯著節(jié)省空間,實現(xiàn)PCB布局靈活性,同時改善外形尺寸。
產(chǎn)品屬性:
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):15 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):30A(Ta),129A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,7V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):1.8 毫歐 @ 20A,7V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2V @ 106μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):13.6 nC @ 7 V
Vgs(最大值):±7V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1600 pF @ 7.5 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):2.1W(Ta),39W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-VSON-6-1
封裝/外殼:6-PowerVDFN
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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