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NVMYS010N04CLTWG - 40V 單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

產(chǎn)品概述

NVMYS010N04CLTWG 是采用 5x6mm LFPAK 封裝的汽車功率 MOSFET 晶體管，專為緊湊型高效設(shè)計(jì)而設(shè)計(jì)，具有高散熱性能。通過 AEC-Q101 認(rèn)證的 MOSFET，具有 PPAP 能力，適用于要求提高板級(jí)可靠性的汽車應(yīng)用。

產(chǎn)品屬性

FET 類型 N 通道  

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss） 40 V  

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 14A（Ta），38A（Tc）  

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值） 10.3 毫歐 @ 20A，10V  

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值） 2V @ 20μA  

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值） 7.3 nC @ 10 V  

Vgs（最大值） ±20V  

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值） 570 pF @ 25 V  

功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），28W（Tc）  

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）  

等級(jí) 汽車級(jí)  

資質(zhì) AEC-Q101  

安裝類型 表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝 LFPAK4（5x6）  

封裝/外殼 SOT-1023，4-LFPAK 

• 1.平臺(tái)上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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  答：我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：可以通過網(wǎng)站上詢價(jià)，也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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