商品名稱:NTMFS5C670NLT1G
數(shù)據(jù)手冊:NTMFS5C670NLT1G.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:8-PowerTDFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NTMFS5C670NLT1G 是 60V 單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。
產(chǎn)品屬性
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 60 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 17A(Ta),71A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值) 6.1 毫歐 @ 35A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值) 20 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) 1400 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 3.6W(Ta),61W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝型
供應商器件封裝 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封裝/外殼 8-PowerTDFN,5 引線
特性
小尺寸(5x6 毫米),適合緊湊型設計
低 RDS(on),將傳導損耗降至最低
低 QG 和電容,將驅動器損耗降至最低
應用
高性能 DC-DC 轉換器
負載點模塊
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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NCV33202VDR2G
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AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT),它采用堅固、高性價比的場終止型VII溝槽結構。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關應用中提供出色的性能。低導通電壓和最小開關損耗在汽車應用中提供最佳的硬開關和軟開關拓撲性能。技術參數(shù)AFGH4L25T120RW的…FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ,主要應用于電力電子設備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格:配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V集電極—射極飽和電壓:1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓:- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流:80 APd-功率耗散:115 W…FGY4L75T120SWD
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