商品名稱:NVMFS6H864NLT1G
數(shù)據(jù)手冊:NVMFS6H864NLT1G.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:5-DFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
NVMFS6H864NLT1G 是采用5x6mm扁平引線封裝的汽車用80V、22A功率MOSFET,專為緊湊高效設計而設計,具有高散熱性能??蓾駛让孢x項可用于增強光學檢測。符合AEC-Q101標準的MOSFET和PPAP,適合汽車應用。
規(guī)格
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):80 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):7A(Ta),22A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):29 毫歐 @ 5A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2V @ 20μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):9 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):431 pF @ 40 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):3.5W(Ta),33W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等級:汽車級
資質(zhì):AEC-Q101
安裝類型:表面貼裝型
供應商器件封裝:5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封裝/外殼:8-PowerTDFN,5 引線
基本產(chǎn)品編號:NVMFS6
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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NCV33202VDR2G
NCV33202VDR2G 運算放大器的輸入和輸出均可實現(xiàn)軌至軌操作。輸入可驅動至超出電源軌 200mV 的高電平,而輸出不會發(fā)生相位反轉,輸出可在每個軌 50 mV 范圍內(nèi)擺動。這種軌至軌的工作方式使用戶能夠充分利用可用的電源電壓范圍。它的設計工作電壓非常低(+/- 0.9 V),但可…NB6N11SMNG
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AFGH4L25T120RWD是一款通過AEC Q101 認證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ,具有堅固且具有成本效益的場停止 VII 溝槽結構。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開關應用中提供卓越的性能,具有低導通狀態(tài)電壓和最小的開關損耗,優(yōu)化了在汽車應用中硬開關和軟開關拓撲的性能。技術…AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT),它采用堅固、高性價比的場終止型VII溝槽結構。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關應用中提供出色的性能。低導通電壓和最小開關損耗在汽車應用中提供最佳的硬開關和軟開關拓撲性能。技術參數(shù)AFGH4L25T120RW的…FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ,主要應用于電力電子設備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格:配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V集電極—射極飽和電壓:1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓:- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流:80 APd-功率耗散:115 W…FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD是一款采用新穎的場終止型第7代IGBT技術和采用TO-247 4?lead封裝的第7代二極管。該IGBT具有最佳的性能,具有低開關和導通損耗,可在太陽能逆變器、UPS和ESS等各種應用中實現(xiàn)高效率運行。技術規(guī)格FGY4L75T120SWD的主要規(guī)格包括:配置:Single集電極—發(fā)射極…電話咨詢:86-755-83294757
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