NTMFSC006N12MC 雙路Cool? N通道功率MOSFET采用Power Trench? 工藝和雙面冷卻封裝。該功率MOSFET具有超低RDS (ON) 、120V漏極-源極電壓、±20V柵極-源極電壓以及150°C最高工作結溫/存放溫度。典型應用包括交流-直流商用電源、一次側直流-直流FET、同步整流器和直流-直流轉換。
產品屬性
技術：MOSFET（金屬氧化物）
配置：2 個 N 溝道
FET 功能：-
漏源電壓（Vdss）：120V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：14A (Ta), 92A (Tc)
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：-
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：39nC @ 10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3040pF @ 60V
功率 - 最大值：2.7W（Ta），104W（Tc）
工作溫度：150°C（TJ）
等級：-
資質：-
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：8-PowerVDFN
供應商器件封裝：8-DFN（5x6.15）
型號
品牌
封裝
數量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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NB6N11SMNG
NB6N11SMNG是差分 1:2 時鐘或數據接收器，可接受 AnyLevelTM 輸入信號： LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。
AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過AEC Q101 認證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ，具有堅固且具有成本效益的場停止 VII 溝槽結構。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開關應用中提供卓越的性能，具有低導通狀態(tài)電壓和最小的開關損耗，優(yōu)化了在汽車應用中硬開關和軟開關拓撲的性能。技術…
AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT)，它采用堅固、高性價比的場終止型VII溝槽結構。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關應用中提供出色的性能。低導通電壓和最小開關損耗在汽車應用中提供最佳的硬開關和軟開關拓撲性能。技術參數AFGH4L25T120RW的…
FGAF40N60SMD
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