商品名稱:SCTH100N65G2-7AG
品牌:ST
年份:23+
封裝:H2PAK-7
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
SCTH100N65G2-7AG 650V 汽車級碳化硅功率MOSFET器件采用ST先進創(chuàng)新的第二代SiC MOSFET技術(shù)開發(fā)而成。該器件具有非常低的單位面積導(dǎo)通電阻和非常好的開關(guān)性能。開關(guān)損耗的變化幾乎與結(jié)溫無關(guān)。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss):650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):95A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):18V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):26 毫歐 @ 50A,18V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):162 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+22V,-10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):3315 pF @ 520 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):360W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等級:汽車級
資質(zhì):AEC-Q101
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:H2PAK-7
封裝/外殼:TO-263-8,D2PAK(7 引線 + 凸片),TO-263CA
基本產(chǎn)品編號:SCTH100
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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