STL57N65M5 是一款基于MDMESH?M5創(chuàng)新垂直工藝技術(shù)的N溝道功率MOSFET,結(jié)合了著名的PowerMesh?水平布局。該產(chǎn)品具有極低的導(dǎo)通電阻,特別適合需要高功率和高效率的應(yīng)用。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):4.3A(Ta),22.5A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):69 毫歐 @ 20A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):110 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):4200 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):2.8W(Ta),189W(Tc)
工作溫度:150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(8x8)HV
封裝/外殼:8-PowerVDFN
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
L6482HTR
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L99DZ100GPTR是門區(qū)系統(tǒng)集成電路,提供具有增強(qiáng)型電源管理功能的電子控制模塊,包括各種待機(jī)模式以及 LIN 和 HS CAN 物理通信層。STM32F105RBT6
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