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FCH150N65F-F155屬于SuperFET? 功率 MOSFET 是新一代獲取專利的高壓 MOSFET 器件系列，采用了先進的電荷平衡機制，實現(xiàn)了出色的低導通電阻和更低柵極電荷的性能。這種先進的技術經(jīng)過量身定制，可降低導通損耗、提供出色的開關性能、承受極端 dv/dt 比率和更高的雪崩能量。SuperFET? II MOSFET 適用于在交換模式操作下的各種交流/直流電源轉換，實現(xiàn)系統(tǒng)的小型化和更高的效率。

規(guī)格

系列： SuperFET? II  

包裝： 管件  

FET 類型： N 通道  

技術： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 650 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：24A（Tc）  

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：150 毫歐 @ 12A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 5V @ 2.4mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 94 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 3737 pF @ 100 V    

功率耗散（最大值）： 298W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 150°C（TJ）  

安裝類型： 通孔  

供應商器件封裝： TO-247-3  

封裝/外殼： TO-247-3 

應用

LCD、LED、PDP 電視機

太陽能逆變器

電信、服務器電源

AC-DC 電源

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