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NVMFS5C442NAFT1G適用于緊湊和高效設計的汽車用功率 MOSFET，安裝在 5x6mm 扁平引線封裝中且具有較高的熱性能。可用于增強光學檢測的可潤濕側(cè)翼選項。AEC-Q101 認證 MOSFET 且具備生產(chǎn)件批準程序(PPAP) 功能，適用于汽車應用。

產(chǎn)品屬性

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 40 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 29A（Ta），140A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 2.3 毫歐 @ 50A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 4V @ 250μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 32 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 2100 pF @ 25 V  

功率耗散（最大值）： 3.7W（Ta），83W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

等級： 汽車級  

資質(zhì)： AEC-Q101  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應商器件封裝： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）  

封裝/外殼： 8-PowerTDFN，5 引線 

產(chǎn)品應用

反向電池保護

電源開關(guān)（高壓側(cè)驅(qū)動器、低壓側(cè)驅(qū)動器、H 橋等）

開關(guān)電源

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