STF20N90K5 - 采用 TO-220FP 封裝的 900V N 溝道 MDmesh K5 功率 MOSFET 晶體管
型號:STF20N90K5
封裝:TO-220-3
類型:MOSFET 晶體管
描述:N 溝道 900V 20A (Tc) 40W (Tc) 通孔 TO-220FP
產(chǎn)品概述
STF20N90K5 - 這款超高電壓 N 溝道功率 MOSFET 采用基于創(chuàng)新專有垂直結(jié)構(gòu)的 MDmesh? K5 技術(shù)設(shè)計。其結(jié)果是大幅降低了導通電阻,并實現(xiàn)了超低柵極電荷,適用于要求超高功率密度和高效率的應(yīng)用。
產(chǎn)品特性
業(yè)界最低的 RDS(on) x 面積
業(yè)界最佳的 FoM(優(yōu)點系數(shù))
超低柵極電荷
100% 雪崩測試
齊納保護
應(yīng)用
開關(guān)應(yīng)用
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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意法半導體(ST)集團于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導體有限公司。意法半導體是世界最大的半導體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STM32L073RZI6
STM32L073RZI6是一款超低功耗的Arm Cortex-M0+ 32位微控制器,其運行頻率為32MHz,提供高達0.95 DMIPS/MHz的性能?。該微控制器非常適合采用電池或電能采集供電的應(yīng)用。技術(shù)規(guī)格STM32L073RZI6單片機的主要規(guī)格包括:核心處理器:ARM Cortex-M0+內(nèi)核規(guī)格:32 位單核速度:…STM32L062K8T6
STM32L062K8T6是一款基于ARM Cortex-M0+內(nèi)核的32位微控制器,屬于STM32L0系列。該系列器件具有動態(tài)電壓調(diào)節(jié)功能、一個超低功率時鐘振蕩器、LCD 接口、比較器、數(shù)模轉(zhuǎn)換器和硬件加密功能。新的自主式外設(shè)(包括 USART、I2C、觸摸傳感控制器)降低了 ARM Cortex-M0+ 內(nèi)核的…STM32L431RCI6
STM32L431RCI6是超低功耗微控制器,基于高性能的 ARMCortex-M4 32位RISC內(nèi)核,其工作頻率高達 80MHz。該內(nèi)核具有單浮點單元(SFPU)精度,支持所有 ARM 單精度數(shù)據(jù)處理指令與數(shù)據(jù)類型。同時執(zhí)行全套 DSP 指令和存儲保護單元(MPU),增強應(yīng)用安全性。此外,STM32L431RCI6…STM32L053R8T6
STM32L053R8T6是一款基于ARM Cortex-M0+核心的超低功耗微控制器,其工作頻率為32MHz,具有64KB閃存以及8KB RAM,適用于需要低功耗和高性能的嵌入式應(yīng)用。STM32L053R8T6單片機的主要參數(shù)如下:核心處理器:ARM Cortex-M0+內(nèi)核規(guī)格:32 位單核速度:32MHz連接能力:I2C,Ir…STM32L071RZH6
STM32L071RZH6微控制器經(jīng)過優(yōu)化,可實現(xiàn)出色的低功耗。該微控制器采用 ARM Cortex-M0+ 核心和 STM32 超低功耗特性,非常適合采用電池或電能采集供電的應(yīng)用、同時也是世界上 125C 溫度下功耗最低的微控制器?;緟?shù)STM32L071RZH6單片機的主要參數(shù)包括:核心處理器:ARM …STM32L443CCY6
STM32L443CCY6器件是一款基于80 Mhz Arm Cortex-M4內(nèi)核的32位超低功耗微控制器,具有256KB 閃存以及64KB RAM,廣泛應(yīng)用于需要高精度計算和低功耗的嵌入式系統(tǒng)。技術(shù)規(guī)格STM32L443CCY6的主要規(guī)格包括:核心處理器:ARM Cortex-M4內(nèi)核規(guī)格:32 位單核速度:80MHz連接能力:…電話咨詢:86-755-83294757
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