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EXCELON? LP CY15V116QI-20BKXC是一款低功耗、16Mb 非易失性存儲器，采用了先進(jìn)的鐵電工藝。鐵電隨機(jī)存取存儲器或 F-RAM 是非易失性存儲器，其讀寫功能與 RAM 相似。它能提供 151 年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時消除了串行閃存、EEPROM 和其他非易失性存儲器帶來的復(fù)雜性、開銷和系統(tǒng)級可靠性問題。

與串行閃存和 EEPROM 不同，CY15X116QI 以總線速度執(zhí)行寫入操作。不會產(chǎn)生寫入延遲。每個字節(jié)成功傳輸?shù)狡骷螅瑪?shù)據(jù)立即寫入存儲器陣列。無需進(jìn)行數(shù)據(jù)輪詢，即可開始下一個總線周期。此外，與其他非易失性存儲器相比，該產(chǎn)品具有很強(qiáng)的寫入耐用性。CY15X116QI 能夠支持 1015 次讀寫周期，寫入次數(shù)是 EEPROM 的 1 億倍。

這些功能使 CY15X116QI 成為需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲器應(yīng)用的理想選擇。例如，在數(shù)據(jù)采集應(yīng)用中，寫入周期的次數(shù)可能至關(guān)重要；在要求苛刻的工業(yè)控制應(yīng)用中，串行閃存或 EEPROM 的寫入時間過長可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失。

產(chǎn)品屬性

類別：存儲器 

系列： Excelon?-LP,F-RAM?  

包裝 ：托盤  

零件狀態(tài)： 在售  

存儲器類型： 非易失  

存儲器格式： FRAM  

技術(shù)： FRAM（鐵電體 RAM）  

存儲容量： 16Mb  

存儲器組織： 2M x 8  

存儲器接口： SPI  

時鐘頻率： 20 MHz  

訪問時間： 20 ns  

電壓 - 供電： 1.71V ~ 1.89V  

工作溫度： 0°C ~ 70°C（TA）  

安裝類型： 表面貼裝型  

封裝/外殼： 24-TBGA  

供應(yīng)商器件封裝： 24-FBGA（6x8） 

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