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MD22HFC120N6HY概述 

1200V/2.12 mΩ SiC MOSFET 功率模塊具有極低的 RDS(on)和極高的阻斷電壓。它專為混合動力和電動汽車等應(yīng)用而設(shè)計。

型號：MD22HFC120N6HY

封裝：N6

導(dǎo)通壓降：2.12 mΩ

芯片類型：SIC

額定電壓：1200V

電路結(jié)構(gòu)：Half Bridge/半橋

特征：注塑,PINFIN基板

MD22HFC120N6HY特點

? SiC 功率 MOSFET

? 具有低 RDS（導(dǎo)通）的高阻塞電壓

? 易于并聯(lián)，驅(qū)動簡單

? 低電感情況下避免振蕩

? 采用 Si3N4 AMB 技術(shù)的隔離式銅針腳基板

等效電路原理圖

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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