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商品名稱(chēng):碳化硅 MOSFET 模塊
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:模塊
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
FF55MR12W1M1HB70 是 1200V 55mΩ EasyDUAL? 1B CoolSiC? MOSFET 半橋模塊,采用 PressFit 觸點(diǎn)技術(shù)和 AlN 陶瓷。
FF55MR12W1M1HB70 的特點(diǎn)
寬 RBSOA
雜散電感極低
更大的柵極驅(qū)動(dòng)電壓窗口
PressFIT 引腳
高導(dǎo)熱性
FF55MR12W1M1HB70 的優(yōu)點(diǎn)
最大柵極源極電壓擴(kuò)展至 +23 V 和 -10 V
過(guò)載條件下的 Tvjop 高達(dá) 175°C
最佳性?xún)r(jià)比,可降低系統(tǒng)成本
可實(shí)現(xiàn)高頻率運(yùn)行,降低冷卻要求
FF55MR12W1M1HB70 的應(yīng)用
電動(dòng)汽車(chē)充電
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制
伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿(mǎn)足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…BSZ42DN25NS3G
BSZ42DN25NS3G 250V OptiMOS? 3 N 溝道功率 MOSFET 晶體管是性能領(lǐng)先的基準(zhǔn)技術(shù),完全適用于 48V 系統(tǒng)中的同步整流、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、不間斷電源 (UPS) 和直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的逆變器。BSZ42DN25NS3G 的規(guī)格晶體管極性:N 溝道通道數(shù):1 通道Vds - 漏極-源極擊穿電壓:250 VId…CY91F587LBPMC-GTE1
CY91F587LBPMC-GTE1 是32 位 FR81S 系列單核微控制器,具有 128MHz 的主頻、1.0625MB 的閃存(1.0625M x 8)、96KB 的 RAM 和 24 通道的 12 位 ADC。IPD14N06S2-80
IPD14N06S2-80 是 55V 80mΩ OptiMOS? N 溝道汽車(chē) MOSFET 晶體管。IPD14N06S2-80 的特性N 溝道 - 增強(qiáng)模式通過(guò)汽車(chē) AEC Q101 認(rèn)證MSL1 峰值回流溫度高達(dá) 260C175C 工作溫度綠色封裝(無(wú)鉛)超低 Rds(on)100% 雪崩測(cè)試IPD14N06S2-80 的優(yōu)勢(shì)在 55V(導(dǎo)通)電壓下,為平面技…IRF1310NPBF
IRF1310NPBF是一款100V 單 N 通道功率 MOSFET,采用 TO-220 封裝。IPD90P03P4L-04
IPD90P03P4L-04是一款汽車(chē) MOSFET,提供 30V、P-溝道、最大 4.5 mΩ、DPAK、OptiMOS?-P2,是電池反向保護(hù)的理想之選。電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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