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產(chǎn)品分類

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商品型號:IMBF170R650M1

商品名稱:IMBF170R650M1

數(shù)據(jù)手冊:IMBF170R650M1.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封裝:TO-263-7

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:3000

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技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
IMBF170R650M1
封裝
TO-263-7
描述
采用TO-263-7封裝的1700V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET

產(chǎn)品描述

IMBF170R650M1 CoolSiC? 1700 V, 650 mΩ SiC MOSFET采用TO-263-7增大爬電距離,針對反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化,適用于眾多電力應(yīng)用場合下接入直流母線電壓600 V至1000 V的輔助電源。


特征描述

針對反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化

開關(guān)損耗極低

兼容反激式控制器的12 V / 0 V柵源電壓

完全可控的dV/dt,針對EMI進(jìn)行優(yōu)化

SMD(表面貼裝)封裝具有增大的爬電距離和電氣間隙(> 7 mm)


優(yōu)勢

1700 V SiC MOSFET能實(shí)現(xiàn)簡單高效的單端反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),適用于輔助電源

SMD(表面貼裝)封裝便于直接集成于PCB,能實(shí)現(xiàn)自然對流冷卻,無需額外的散熱器

由于產(chǎn)品封裝的爬電距離和電氣間隙增大,隔離工作量減少

降低系統(tǒng)復(fù)雜性

高功率密度


應(yīng)用領(lǐng)域

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常見問題

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