商品名稱:IPM 模塊
品牌:ON
年份:24+
封裝:SPMMC-27
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
FSBB10CH120DFL 是一款 Motion SPM? 3 模塊,為交流直感、BLDC 和 PMSM 電機(jī)提供全功能、高性能的逆變器輸出級(jí)。該模塊集成了內(nèi)置 IGBT 的優(yōu)化門(mén)極驅(qū)動(dòng),可最大程度減少 EMI 和損耗,同時(shí)還提供多個(gè)模塊上保護(hù)功能,包括欠電壓鎖閉、過(guò)電流關(guān)斷和故障報(bào)告。
內(nèi)置的高速 HVIC 僅需一個(gè)電源電壓,會(huì)將傳入的邏輯電平門(mén)極輸入轉(zhuǎn)換為正確驅(qū)動(dòng)模塊內(nèi)部 IGBT 所需的高電壓、高電流驅(qū)動(dòng)信號(hào)。對(duì)于每個(gè)相位提供單獨(dú)的負(fù) IGBT 端子,可支持最廣泛的控制算法。
特性:
1200 V - 10 A 三相 IGBT 逆變器,帶積分柵極驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能
低功耗、額定短路 IGBT
使用 Al2O3陶瓷基質(zhì)實(shí)現(xiàn)極低熱阻
專用 Vs 引腳能夠簡(jiǎn)化 PCB 布局
低側(cè) IGBT 的獨(dú)立發(fā)射極開(kāi)路引腳用于三相電流檢測(cè)
單相接地電源
絕緣等級(jí): 2500 Vrms/分
應(yīng)用:
運(yùn)動(dòng)控制-家用設(shè)備/工業(yè)電機(jī)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄?、通信、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級(jí)結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級(jí)聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場(chǎng)上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開(kāi)關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開(kāi)關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號(hào):NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時(shí)電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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