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S80KS5123GABHV020 512Mb HYPERRAM?器件是一種高速CMOS，自刷新DRAM，具有xSPI (Octal)接口。 DRAM陣列使用需要定期刷新的動態(tài)單元。 當(dāng)內(nèi)存沒有被xSPI接口主(主機(jī))主動讀寫時，設(shè)備內(nèi)的刷新控制邏輯管理DRAM陣列上的刷新操作。 由于主機(jī)不需要管理任何刷新操作，因此在主機(jī)看來，DRAM陣列似乎使用靜態(tài)單元來保留數(shù)據(jù)而不進(jìn)行刷新。 因此，將內(nèi)存更準(zhǔn)確地描述為偽靜態(tài)RAM (PSRAM)。

該HYPERRAM具有高吞吐量、低引腳數(shù)、外形小巧和高能效等優(yōu)點(diǎn)，這使它成為適用于汽車、工業(yè)和通信領(lǐng)域的眾多應(yīng)用的擴(kuò)展存儲理想之選。

產(chǎn)品規(guī)格：

存儲器類型：易失

存儲器格式：PSRAM

技術(shù)：PSRAM（偽 SRAM）

存儲容量：512Mb

存儲器組織：64M x 8

存儲器接口：SPI - 八 I/O

時鐘頻率：200 MHz

寫周期時間 - 字，頁：35ns

訪問時間：35 ns

電壓 - 供電：1.7V ~ 2V

工作溫度：-40°C ~ 105°C（TA）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：24-VBGA

供應(yīng)商器件封裝：24-FBGA（6x8）

基本產(chǎn)品編號：S80KS5123

• 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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