商品名稱:SCT10N120AG
數(shù)據(jù)手冊:SCT10N120AG.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:HiP247
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
SCT10N120AG 1200V 12A 碳化硅 (SiC) MOSFET采用HiP247封裝,具有出色的開關(guān)性能,以及極低的單位面積導(dǎo)通電阻RDS(on)性能指標(biāo),從而實(shí)現(xiàn)了更高效、更緊湊的系統(tǒng)。ST的1200V SiC MOSFET具有200°C的高溫度額定值,可改進(jìn)電力電子系統(tǒng)的散熱設(shè)計(jì)。應(yīng)用包括馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)汽車充電器、高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源。
產(chǎn)品規(guī)格:
FET 類型:N 通道
技術(shù):SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss):1200 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):12A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):20V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):690 毫歐 @ 6A,20V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):22 nC @ 20 V
Vgs(最大值):+25V,-10V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):290 pF @ 400 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):150W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 200°C(TJ)
安裝類型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:HiP247?
封裝/外殼:TO-247-3
基本產(chǎn)品編號:SCT10
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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VL53L3CAV0DH/1
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