商品名稱：NTMFD4C85NT1G
數(shù)據(jù)手冊：
NTMFD4C85NT1G.pdf
品牌：ON
年份：1735+
封裝：QFN
貨期：原裝現(xiàn)貨
庫存數(shù)量：39500 件
描述
MOSFET 陣列 30V 15.4A，29.7A 1.13W表面安裝8-DFN（5x6）
特征
? 共同封裝的功率級解決方案，可最大程度地減少電路板空間
? 寄生電感最小
? 優(yōu)化的設(shè)備以減少功率損耗
? 這些設(shè)備無鉛，無鹵素/無溴化阻燃劑，并且符合RoHS要求合規(guī)
應用領(lǐng)域
? DC-DC轉(zhuǎn)換器
? 系統(tǒng)電壓軌
? 負載點
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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NCV0372BDWR2G是一種單片電路，可用作伺服放大器和電源等多種應用中的功率運算放大器。
NIS5132MN4TXGHW
NIS5132MN4TXGHW 一款高性能 N 溝道 MOSFET，以其優(yōu)異的性能和可靠性，成為工業(yè)控制、汽車電子、通信設(shè)備等領(lǐng)域的理想選擇。
NTMFS4925NT1G
NTMFS4925NT1G是一款高性能 N 通道功率 MOSFET，專為高效率、低功耗應用設(shè)計。電話咨詢：86-755-83294757
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