商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:TDSON-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:26800 件
BSC010N04LST是采用 SuperSO8 封裝的 OptiMOS? 5 功率 MOSFET 彰顯出先進(jìn)的技術(shù),封裝的工作溫度也隨之改善。新型組合提高了功率密度以及堅(jiān)固性。
與額定值較低的設(shè)備相比,175°C TJ_MAX 的功率更高,能夠在更高的結(jié)溫下工作,或在同等結(jié)溫下具有較長(zhǎng)的使用壽命。而且,安全工作區(qū)(SOA)也擴(kuò)大了20%。這款新型封裝更加適合通信、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和服務(wù)器之類的應(yīng)用。
BSC010N04LST 特征描述
低 RDS(on)
針對(duì)同步整流進(jìn)行優(yōu)化
采用SuperSO8封裝,工作溫度提高到175°C
BSC010N04LST 產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續(xù)漏極電流: 100 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V
Qg-柵極電荷: 133 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 139 W
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降時(shí)間: 9 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 140 S
上升時(shí)間: 12 ns
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 46 ns
典型接通延遲時(shí)間: 10 ns
BSC010N04LST 潛在應(yīng)用
電機(jī)驅(qū)動(dòng)
服務(wù)器
通信
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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