FZ1000R45KL3 是 IHV 4500 V、1000 A 130 mm 單開關(guān) IGBT 模塊，帶有溝槽/場截止 IGBT3、發(fā)射極受控 3 二極管和隔離的 AlSiC 底板。
FZ1000R45KL3 的特點
高直流穩(wěn)定性
高短路能力，自限制短路電流
高動態(tài)穩(wěn)定性
低 V（CEsat），正溫度系數(shù)
10.2 kV 交流隔離
高爬電距離和間隙距離
FZ1000R45KL3 的優(yōu)點
功率密度高，適用于緊湊型逆變器設(shè)計
標準化外殼
FZ1000R45KL3 的應(yīng)用
電機控制
牽引
風能
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。
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答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
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S6E2H46G0AGB3000A：FM4 S6E2H系列MCU——160MHz，32位單核 Arm Cortex-M4微控制器（MCU），F(xiàn)BGA-121型號：S6E2H46G0AGB3000A封裝：FBGA-121類型：32位單核微控制器ICS6E2H46G0AGB3000A 產(chǎn)品屬性：核心處理器：ARM Cortex-M4F內(nèi)核規(guī)格：32 位單核速度：160MHz連接能力：C…
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2EDN8534F是英飛凌一款雙通道5A柵極驅(qū)動器IC，屬于EiceDRIVER? 2EDN系列，專為驅(qū)動標準MOSFET、超結(jié)MOSFET及寬禁帶（WBG）功率開關(guān)器件（如SiC、GaN）而優(yōu)化。
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IRS2181STRPBF是EiceDRIVER? 600 V 高、低壓側(cè)柵極驅(qū)動器 IC，典型源電流為 1.9 A，灌電流為 2.3 A，采用 8 引線 SOIC 封裝，適用于 IGBT 和 MOSFET。
IRS2186STRPBF
IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動器 IC，具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流，采用 8 引線 SOIC 封裝，適用于 IGBT 和 MOSFET。
BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側(cè)電源開關(guān)，采用 SIPMOS 技術(shù) 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET，適用于 12V 和 24V 接地負載 的電源管理應(yīng)用。電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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