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NTMT125N60S5H是onsemi）推出的一款高性能MOSFET產(chǎn)品，特別適用于服務(wù)器和電信系統(tǒng)。SUPERFET V MOSFET FAST 系列在硬開關(guān)應(yīng)用中具有極低的開關(guān)損耗，有助于最大限度地提高系統(tǒng)效率。TDFN4 封裝是一種超薄 SMD 封裝，通過提供開爾文源極配置和較低的寄生源極電感來提供出色的開關(guān)性能。

主要規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：22A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：125 毫歐 @ 11A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4.3V @ 2.1mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：37.1 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：2037 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：152W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：4-TDFN（8x8）

應(yīng)用場景

NTMT125N60S5H  MOSFET主要應(yīng)用于服務(wù)器和電信系統(tǒng)，特別是在高能效要求的電源管理中表現(xiàn)出色。

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