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Micron LPDDR4內(nèi)存優(yōu)化用于解決電池供電應(yīng)用中的功耗問題。與DDR4相比，這些內(nèi)存器件的峰值帶寬快33%。與標(biāo)準(zhǔn)DRAM相比，LPDDR4內(nèi)存在待機(jī)模式下的功耗降低至1/5。這些內(nèi)存器件采用多芯片封裝（MCP）和封裝體疊層（PoP）設(shè)計，可節(jié)省PCB空間。LPDDR4內(nèi)存器件優(yōu)化了x16、x32和x64配置，可為某些應(yīng)用節(jié)省BOM。LPDDR4內(nèi)存在性能、功耗、延遲和物理空間之間實現(xiàn)了完美平衡，因此非常節(jié)能。這些LPDDR4內(nèi)存器件適合用于手持設(shè)備、電池供電應(yīng)用和超便攜設(shè)備。

MT53E768M32D4DT-046 AAT:E 產(chǎn)品屬性：

存儲器類型： 易失  

存儲器格式： DRAM  

技術(shù)：SDRAM - Mobile LPDDR4  

存儲容量：24Gb  

存儲器組織： 768M x 32  

存儲器接口： -  

時鐘頻率： 2.133 GHz  

寫周期時間 - 字，頁： -  

電壓 - 供電：1.1V  

工作溫度： -40°C ~ 105°C（TC）  

安裝類型： 表面貼裝型  

封裝/外殼： 200-VFBGA  

供應(yīng)商器件封裝： 200-VFBGA（10x14.5）  

基本產(chǎn)品編號： MT53E768

• 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。