商品名稱:MT53E768M32D4DT-046 WT:E
數(shù)據(jù)手冊:MT53E768M32D4DT-046?WTE.pdf
品牌:Micron
年份:23+
封裝:200-VFBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
MT53E768M32D4DT-046 WT:E LPDDR4 內(nèi)存針對電池供電應(yīng)用中的功耗問題進(jìn)行了優(yōu)化。這些內(nèi)存器件的峰值帶寬比 DDR4 快 33%。LPDDR4 存儲器在待機(jī)模式下的功耗比標(biāo)準(zhǔn) DRAM 低 5 倍。這些存儲器件采用多芯片封裝和封裝上封裝設(shè)計,節(jié)省了 PCB 空間。LPDDR4 存儲器優(yōu)化了 x16、x32 和 x64 配置,為某些應(yīng)用節(jié)省了 BOM。LPDDR4 存儲器集性能、功耗、延遲和物理空間于一身,因此非常節(jié)能。這些 LPDDR4 存儲器適用于手機(jī)、電池供電應(yīng)用和超便攜設(shè)備。
功能特點(diǎn)
16n 預(yù)取 DDR 架構(gòu)
每個通道有 8 個內(nèi)部存儲組,可同時運(yùn)行
單數(shù)據(jù)速率 CMD/ADR 輸入
每個字節(jié)通道的雙向/差分?jǐn)?shù)據(jù)選通
可編程的讀取和寫入延遲
可編程即時突發(fā)長度
每行定向刷新,可實(shí)現(xiàn)并行操作,便于命令調(diào)度
每個芯片速度高達(dá) 8.5 GB/s
片上溫度傳感器可控制自刷新率
部分陣列自刷新
可選輸出驅(qū)動強(qiáng)度
時鐘停止功能
可編程 VSS 終端
支持單端 CK 和 DQS
應(yīng)用
POS/零售、智能/監(jiān)控攝像機(jī)
M2M 模塊
使用高達(dá) 4Gb LP1/LP2 MCP 的 3G/4G 無線網(wǎng)絡(luò)
配備高達(dá) 8Gb LP4 MCP 的 5G 無線網(wǎng)絡(luò)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
SK hynix
FBGA-200
1000
Mem-SDRAM-Lpddr4, 16Gb(2Gb), 2Chx16, 3733Mbps, FBGA-200 (15.1X10.1)mm X 1mm Max H
Kingston
FBGA-96
1000
動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 Auto temp 4Gb 256Mx16 96 ball FBGA DDR3L 2133
Kingston
FBGA-96
2000
動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 Auto temp 2Gb 128Mx16 96 ball FBGA DDR3L 2133
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Micron是全球著名的半導(dǎo)體存儲器方案供應(yīng)商。該公司的存儲器方案被應(yīng)用于計算機(jī)及外設(shè)、消費(fèi)電子、CAD/CAM、通信、辦公室自動化、網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)處理、圖形顯示等。公司1978年組建,總部位于美國愛德荷州,有員工約16,000人,擁有全球化的生產(chǎn)、銷售網(wǎng)點(diǎn)。目前主要生產(chǎn)DRAM、…
MT54A16G8080A00AC-32:A
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MT61K512M32KPA-24:U是由Micron公司生產(chǎn)的一款動態(tài)隨機(jī)存取存儲器IC,適用于需要高速數(shù)據(jù)傳輸和大量存儲空間的電子設(shè)備,如高性能計算、圖形處理、視頻編輯等領(lǐng)域。由于其高性能和可靠性,它被廣泛應(yīng)用于各種高端電子設(shè)備中。技術(shù)規(guī)格類型:SGRAM - GDDR6存儲容量:16 Gb…MT61M256M32JE-12 AAT:A
MT61M256M32JE-12 AAT:A是一款 GDDR6 動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)。電話咨詢:86-755-83294757
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