R7F70254EAFABG-C是(Renesas)推出的新一代32位汽車微控制器(MCU),采用28納米工藝,專為跨域汽車電子控制單元(ECU)設計,可整合多個應用場景。以下是其核心特性:
速率 400MHz,支持多達 4+多達 3 (鎖步核)個RH850 G4MH CPU
頂級性能與能耗比
高達 10MB 的閃存
高達 1.28MB 的內存
配備嵌入式 EMU3S(嵌入式電機控制單元)、RDC3X(位置傳感器接口)和 TSG3(電機定時器),可用于磁場定向牽引電機(逆變器)的控制
具備多達 4 個 ADC(12 位),通道數量多達 94 個,包括 6+6+0+0 跟蹤和保持輸入
具備多達 10 個帶數字濾波器引擎的 DS-ADC
多達 20 數字濾波引擎
GTM v4.1 車輛運動定時器
高溫支持:高達 Tj=160°C
R7F70254EAFABG-C采用4個400MHz CPU核心(含3個雙核鎖步架構),支持硬件虛擬化與服務質量(QoS)功能,適用于X-in-1應用場景。它還支持 ISO 26262 ASIL-D 功能安全標準,通過硬件隔離實現不同安全級別軟件分區(qū)。
應用場景
R7F70254EAFABG-C主要用于混合動力發(fā)動機(ICE)與 xEV 牽引逆變器、高端區(qū)域控制、連接網關等場景。
型號
品牌
封裝
數量
描述
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瑞薩科技是世界十大半導體芯片供應商之一,在很多諸如移動通信、汽車電子和PC/AV 等領域獲得了全球最高市場份額。瑞薩科技在2003年4月1日正式成立,以領先的科技實現人類的夢想。結合了日立與三菱電機在半導體領域上的豐富經驗和專業(yè)知識,配合全球二萬七千名員工的無限創(chuàng)…
TP65H300G4JSGB
TP65H300G4JSGB是一款 650V 240mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用瑞薩電子第四代平臺構建的常閉器件。該晶體管結合了最先進的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術,提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4JSGB主要規(guī)格如下:晶體管極性:N-Channel通道數量:1 ChannelVds-漏源極…TP65H300G4LSGB
TP65H300G4LSGB 650V 240mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用瑞薩電子的 Gen IV 平臺構建的常閉器件。TP65H300G4LSGB結合了最先進的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術,提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4LSGB采用行業(yè)標準的 PQFN88 封裝,具有 Kelvin 源和通用源封裝配置?!?/span>AT25SF2561C-SXUB
AT25SF2561C-SXUB是一款256 Mbit SPI串行閃存,由Renesas生產,支持單/雙/四線I/O、QPI和DTR接口,適用于工業(yè)、消費電子等領域。該器件具有以下特性:通用兼容的引腳排列和命令集標準塊架構支持雙 I/O、四 I/O、QPI 和 XiP 操作高達 133MHz雙倍傳輸速率(DTR)高達 84MHz…AT25SF2561C-MWUB
AT25SF2561C-MWUB是Renesas推出的256Mbit 3V SPI串行閃存,支持單路、雙路、四路 I/O、QPI 和 DTR操作,適用于工業(yè)、消費類和聯網應用。其技術參數如下:安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:DFN-8系列:AT25xF2561C存儲容量:256 Mbit電源電壓-最?。?.7 V電源電壓-最大:3.6…AT25QF2561C-SXUB
AT25QF2561C-SXUB 256Mbit串行外設接口(SPI)NOR閃存器件設計用于各種大容量工業(yè)、消費類和聯網應用。AT25QF2561C-SXUB可用于將從閃存啟動到嵌入式或外部RAM的程序存儲器存儲,和/或用于直接從閃存執(zhí)行(XiP)中執(zhí)行代碼。為了實現快速執(zhí)行,AT25QF2561C-SXUB支持高達13…AT25QF2561C-MWUB
AT25QF2561C-MWUB是一款 256Mbit 串行外設接口(SPI)閃存器件,用于各種大容量工業(yè)、消費電子和連接應用。 它可以儲存從閃存到嵌入式或外部 RAM 的程序內存,和/或直接從閃存執(zhí)行代碼(就地執(zhí)行(XiP))。 為了實現快速執(zhí)行,AT25QF2561C-MWUB支持四通道 SPI 和 QPI 接…電話咨詢:86-755-83294757
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