R7F7016924AFP-C器件是（Renesas）推出的一款車規(guī)級32位微控制器，采用 RH850G3KH 內(nèi)核，主頻高達120MHz。該產(chǎn)品是 RH850/F1KM-S1 系列中的一款單芯片微控制器，專為汽車電氣車身應用而設(shè)計。
核心特性
32 位單芯片微控制器，具有一個 G3KH CPU 內(nèi)核
高計算處理能力
120MHz 工作頻率
內(nèi)部閃存范圍為 512KB
多種內(nèi)部外設(shè)功能
CAN FD 接口
低功耗
低功耗采樣器 （LPS） 輪詢信號輸入，無需 CPU 內(nèi)核交互
DeepSTOP 模式可切斷芯片內(nèi)選擇電路的電源
封裝：64-LFQFP
R7F7016924AFP-C微控制器支持 Ethernet AVB 、 3路CAN-FD （兼容 CAN ）、 LIN 、 SPI 等接口，滿足車載通信需求。
應用場景
R7F7016924AFP-C廣泛應用于車身控制模塊（BCM）、網(wǎng)關(guān)、HVAC系統(tǒng)等電氣化車身場景。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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瑞薩科技是世界十大半導體芯片供應商之一，在很多諸如移動通信、汽車電子和PC/AV 等領(lǐng)域獲得了全球最高市場份額。瑞薩科技在2003年4月1日正式成立，以領(lǐng)先的科技實現(xiàn)人類的夢想。結(jié)合了日立與三菱電機在半導體領(lǐng)域上的豐富經(jīng)驗和專業(yè)知識，配合全球二萬七千名員工的無限創(chuàng)…
TP65H300G4JSGB
TP65H300G4JSGB是一款 650V 240mΩ 氮化鎵 （GaN） FET 是使用瑞薩電子第四代平臺構(gòu)建的常閉器件。該晶體管結(jié)合了最先進的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術(shù)，提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4JSGB主要規(guī)格如下：晶體管極性：N-Channel通道數(shù)量：1 ChannelVds-漏源極…
TP65H300G4LSGB
TP65H300G4LSGB 650V 240mΩ 氮化鎵 （GaN） FET 是使用瑞薩電子的 Gen IV 平臺構(gòu)建的常閉器件。TP65H300G4LSGB結(jié)合了最先進的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術(shù)，提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4LSGB采用行業(yè)標準的 PQFN88 封裝，具有 Kelvin 源和通用源封裝配置?！?/span>
AT25SF2561C-SXUB
AT25SF2561C-SXUB是一款256 Mbit SPI串行閃存，由Renesas生產(chǎn)，支持單/雙/四線I/O、QPI和DTR接口，適用于工業(yè)、消費電子等領(lǐng)域。該器件具有以下特性：通用兼容的引腳排列和命令集標準塊架構(gòu)支持雙 I/O、四 I/O、QPI 和 XiP 操作高達 133MHz雙倍傳輸速率（DTR）高達 84MHz…
AT25SF2561C-MWUB
AT25SF2561C-MWUB是Renesas推出的256Mbit 3V SPI串行閃存，支持單路、雙路、四路 I/O、QPI 和 DTR操作，適用于工業(yè)、消費類和聯(lián)網(wǎng)應用。其技術(shù)參數(shù)如下：安裝風格：SMD/SMT封裝 / 箱體：DFN-8系列：AT25xF2561C存儲容量：256 Mbit電源電壓-最?。?.7 V電源電壓-最大：3.6…
AT25QF2561C-SXUB
AT25QF2561C-SXUB 256Mbit串行外設(shè)接口（SPI）NOR閃存器件設(shè)計用于各種大容量工業(yè)、消費類和聯(lián)網(wǎng)應用。AT25QF2561C-SXUB可用于將從閃存啟動到嵌入式或外部RAM的程序存儲器存儲，和/或用于直接從閃存執(zhí)行（XiP）中執(zhí)行代碼。為了實現(xiàn)快速執(zhí)行，AT25QF2561C-SXUB支持高達13…
AT25QF2561C-MWUB
AT25QF2561C-MWUB是一款 256Mbit 串行外設(shè)接口（SPI）閃存器件，用于各種大容量工業(yè)、消費電子和連接應用。 它可以儲存從閃存到嵌入式或外部 RAM 的程序內(nèi)存，和/或直接從閃存執(zhí)行代碼（就地執(zhí)行（XiP））。 為了實現(xiàn)快速執(zhí)行，AT25QF2561C-MWUB支持四通道 SPI 和 QPI 接…電話咨詢：86-755-83294757
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