IXFH150N17T2是175V 150A N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET晶體管。
IXFH150N17T2規(guī)格參數(shù)
FET類型:N溝道
工藝:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):175 V
連續(xù)漏極電流(Id) @ 25°C:150A (Tc)
驅(qū)動電壓(最大導(dǎo)通電阻,最小導(dǎo)通電阻):10V
導(dǎo)通電阻(Rds On)(最大值) @ Id, Vgs:12毫歐 @ 75A, 10V
閾值電壓(Vgs(th))(最大值) @ Id:4.5V @ 1mA
柵極電荷(Qg)(最大值) @ Vgs:233納庫倫 @ 10V
柵極電壓(Vgs)(最大值):±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds:14600 pF @ 25 V
功耗(最大值):880W (Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
IXFH150N17T2特性
高電流承載能力
快速內(nèi)置二極管
動態(tài)dv/dt耐受
雪崩耐受
低導(dǎo)通電阻
IXFH150N17T2優(yōu)勢
易于安裝
節(jié)省空間
高功率密度
IXFH150N17T2應(yīng)用領(lǐng)域
DC-DC轉(zhuǎn)換器
電池充電器
開關(guān)模式與諧振模式電源
直流斬波器
交流電機(jī)驅(qū)動器
不間斷電源
高速功率開關(guān)應(yīng)用
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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