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AON7934 一款雙N溝道MOSFET陣列，采用緊湊型封裝，具有低導(dǎo)通電阻和邏輯電平門極驅(qū)動(dòng)特性，非常適合需要高效率電源管理和功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。

AON7934 核心規(guī)格參數(shù)：

核心功能：雙N溝道MOSFET陣列 (半橋配置)

安裝類型：表面貼裝 

封裝形式：8-DFN-EP (3x3) 裸露焊盤 (也有稱作WDFN-8或QFN8(3X3))

漏源電壓 (Vdss)：30V

連續(xù)漏極電流 (Id)：13A, 15A (不同通道，@25°C) 或 16A

導(dǎo)通電阻 (Rds(on))：10.2mΩ @ 13A, 10V

柵極閾值電壓 (Vgs(th))：2.2V @ 250μA

柵極電荷 (Qg)：11nC @ 10V

輸入電容 (Ciss)：485pF @ 15V

最大功耗 (Pd)：2.5W

工作結(jié)溫 (Tj)：-55°C ~ 150°C

FET 特性：邏輯電平門極 (Logic Level Gate)

AON7934 特性

低導(dǎo)通電阻：僅為 10.2mΩ，有助于減少功率損耗并提高整體效率。

快速開(kāi)關(guān)能力：柵極電荷僅為 11nC，確?？焖匍_(kāi)關(guān)。

高電流承載能力：在 25°C 時(shí)，連續(xù)漏極電流可達(dá) 13A 至 15A。

小型封裝：采用 DFN-8（3x3mm）封裝，適合空間受限的應(yīng)用。

環(huán)保合規(guī)：無(wú)鉛（Pb-Free）和 RoHS 合規(guī)。

AON7934 的這些特性使其在電源管理、電機(jī)控制和消費(fèi)電子等多個(gè)領(lǐng)域表現(xiàn)出色。

• 1.平臺(tái)上看到的庫(kù)存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大，目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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  答：我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來(lái)源均可追溯，確保原裝正品。

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