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商品型號:NVB125N65S3

商品名稱:MOSFET 晶體管

品牌:ON

年份:25+

封裝:TO-263-3

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:5000

數(shù)量:
在線詢價

聯(lián)系人:

聯(lián)系郵箱:

聯(lián)系電話:

公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
ON
型號
NVB125N65S3
封裝
TO-263-3
描述
650V,24A,SuperFET? III 汽車 MOSFET 晶體管

產(chǎn)品描述

NVB125N65S3——SUPERFET III MOSFET 是 onsemi 的全新高壓超級結(jié) (SJ) MOSFET 系列,采用電荷平衡技術(shù),具有出色的低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷性能。這種先進(jìn)的技術(shù)可最大限度地減少傳導(dǎo)損耗,提供卓越的開關(guān)性能,并能承受極高的 dv/dt 速率。


NVB125N65S3(高壓MOSFET)650V,24A,SuperFET? III 汽車 MOSFET 晶體管

型號:NVB125N65S3

封裝:TO-263-3

類型:汽車 MOSFET 晶體管

規(guī)格參數(shù):

FET 類型:N 通道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):24A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):125 毫歐 @ 12A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 590μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):46 nC @ 10 V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1940 pF @ 400 V

功率耗散(最大值):181W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝:TO-263(D2PAK)

封裝/外殼:TO-263-3,D2PAK(2 引線 + 凸片),TO-263AB


NVB125N65S3 應(yīng)用:

車載充電器

用于混合動力汽車的車載 DC/DC 轉(zhuǎn)換器


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    答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

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