最新資訊介紹IKW75N65ES5 器件是采用 TO247 封裝的 650 V 硬開(kāi)關(guān) TRENCHSTOP? 5 S5 IGBT，適合開(kāi)關(guān)頻率在 10 kHz 到 40 kHz 之間的應(yīng)用，可實(shí)現(xiàn)高效率和更快的產(chǎn)品上市周期，降低電路設(shè)計(jì)復(fù)雜性并優(yōu)化 PCB 物料清單成本。特征描述在 25C 下， VCEsat 低至 1.35 V，比 TRENCHSTOP…
介紹
IKW75N65ES5 器件是采用 TO247 封裝的 650 V 硬開(kāi)關(guān) TRENCHSTOP? 5 S5 IGBT，適合開(kāi)關(guān)頻率在 10 kHz 到 40 kHz 之間的應(yīng)用，可實(shí)現(xiàn)高效率和更快的產(chǎn)品上市周期，降低電路設(shè)計(jì)復(fù)雜性并優(yōu)化 PCB 物料清單成本。
特征描述
在 25°C 下， VCEsat 低至 1.35 V，比 TRENCHSTOP? 5 H5 低 20%
Ic 脈沖電流的 4 倍 (100°C Tc)
軟電流下降特性，無(wú)尾電流
對(duì)稱的，電壓過(guò)沖
柵極電壓受到控制（無(wú)振動(dòng)）。沒(méi)有不必要的設(shè)備導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn)，也不需要柵極箝位。
最高結(jié)溫 Tvj = 175°C
質(zhì)量符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)
優(yōu)勢(shì)
不需要 VCEpeak 箝位電路
不需要柵極箝位元件
出色的 EMI 行為
非常適合并聯(lián)
規(guī)格
型號(hào)：IKW75N65ES5
IGBT 類型：溝道
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：80 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：300 A
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)（最大值）：1.75V @ 15V，75A
功率 - 最大值：395 W
開(kāi)關(guān)能量：2.4mJ（導(dǎo)通），950μJ（關(guān)斷）
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷：164 nC
25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：40ns/144ns
測(cè)試條件：400V，75A，18 歐姆，15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：85 ns
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO247-3
應(yīng)用領(lǐng)域
48V 配電
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