最新資訊深圳市明佳達(dá)電子有限公司 [ON] NVTFS027N10MCLTAG 100V 單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管，8-WDFN產(chǎn)品描述NVTFS027N10MCLTAG 是汽車(chē)功率 MOSFET 晶體管，采用 3x3mm 扁平引線封裝，專為緊湊型高效設(shè)計(jì)而設(shè)計(jì)，具有高散熱性能。提供用于增強(qiáng)光學(xué)檢測(cè)的可潤(rùn)濕側(cè)翼選件。通過(guò) A…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司 [ON] NVTFS027N10MCLTAG 100V 單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管，8-WDFN
產(chǎn)品描述
NVTFS027N10MCLTAG 是汽車(chē)功率 MOSFET 晶體管，采用 3x3mm 扁平引線封裝，專為緊湊型高效設(shè)計(jì)而設(shè)計(jì)，具有高散熱性能。提供用于增強(qiáng)光學(xué)檢測(cè)的可潤(rùn)濕側(cè)翼選件。通過(guò) AEC-Q101 認(rèn)證的 MOSFET 和 PPAP 適用于汽車(chē)應(yīng)用。
產(chǎn)品屬性
FET 類型：N 通道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：100 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：7.4A（Ta），28A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：26 毫歐 @ 7A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：3V @ 38μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：11.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：800 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），46W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝：8-WDFN（3.3x3.3）
封裝/外殼：8-PowerWDFN
產(chǎn)品特性
占用空間?。?x3 毫米）
低 RDS（導(dǎo)通）
低 QG 和電容
提供可潤(rùn)濕側(cè)翼選項(xiàng)
符合 RoHS 規(guī)范
如有需求請(qǐng)致電咨詢陳先生：
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時(shí)間：2025-05-14
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