明佳達公司供求英飛凌 IMW120R007M1H、IMW120R007M1HXKSA1，采用 TO247-3 封裝的 CoolSiC? 1200 V、7 mΩ SiC 溝槽 MOSFET。
明佳達公司供應英飛凌 IMW120R007M1H、IMW120R007M1HXKSA1溝槽型碳化硅MOSFET
說明：采用 TO247-3 封裝的 CoolSiC? 1200 V、7 mΩ SiC 溝槽 MOSFET。
規(guī)格
FET 類型 N 通道
技術 SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss） 1200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 225A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 15V，18V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 9.9 毫歐 @ 108A，18V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 5.2V @ 47mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 220 nC @ 18 V
Vgs（最大值） +20V，-5V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 9170 nF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 750W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 PG-TO247-3
封裝/外殼 TO-247-3
應用
電池化成
電動汽車快速充電
電機控制和驅動
光伏能源系統(tǒng)解決方案
不間斷電源 (UPS)
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