摘要：英飛凌第二代CoolSiC?8-234mΩ1200VSiCMOSFET采用DPAK-7L封裝，性能顯著提升，適用于各類功率變換。產(chǎn)品系列包括11個型號，特點包括低開關(guān)損耗、高過載運行溫度、抗寄生開通等。英飛凌新品第二代CoolSiC? 8-234mΩ 1200V SiC MOSFET DPAK-7L封裝采用DPAK-7L(TO-2…
摘要：英飛凌第二代CoolSiC?8-234mΩ1200VSiCMOSFET采用D2PAK-7L封裝，性能顯著提升，適用于各類功率變換。產(chǎn)品系列包括11個型號，特點包括低開關(guān)損耗、高過載運行溫度、抗寄生開通等。
英飛凌新品第二代CoolSiC? 8-234mΩ 1200V SiC MOSFET D2PAK-7L封裝
采用D2PAK-7L(TO-263-7)封裝的第二代CoolSiC? G2 1200V MOSFET系列以第一代技術(shù)的優(yōu)勢為基礎(chǔ)，加快了系統(tǒng)設(shè)計的成本優(yōu)化，實現(xiàn)高效率、緊湊設(shè)計和可靠性。
第二代產(chǎn)品在硬開關(guān)工況和軟開關(guān)拓撲的關(guān)鍵性能指標上都有顯著改進，適用于所有常見的交流-直流、直流-直流和直流-交流各種功率變換。
產(chǎn)品特點：
? 開關(guān)損耗極低
? 過載運行溫度最高可達T vj =200°C
? 短路耐受時間2μs
? 標桿性的柵極閾值電壓， VGS(th) =4.2V
? 抗寄生開通能力強，可用0V柵極關(guān)斷電壓
? 用于硬換流的堅固體二極管
? .XT互聯(lián)技術(shù)可實現(xiàn)同類最佳的散熱性能
產(chǎn)品優(yōu)勢：
? 最低R DS(on） ，最高輸出能力
? 市場上最精細的產(chǎn)品系列，8-234mΩ11個型號
? 過載運行溫度最高可達T vj =200°C
? 強大的短路額定值
? 雪崩穩(wěn)健性
應(yīng)用領(lǐng)域：
? 電動汽車充電
? 組串逆變器
? 在線式UPS/工業(yè)UPS
? 通用變頻器（GPD）
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