最新資訊ROHM Semiconductor Nano Cap? 650V GaN HEMT功率級(jí)IC設(shè)計(jì)用于要求苛刻的電子系統(tǒng)。描述：BM3G007MUV-LBE2器件非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。通過(guò)將650V增強(qiáng)型GaN HEMT和Si驅(qū)動(dòng)器集成于ROHM自有封裝，與以往的分立解決方案相比，由PCB布線和引線鍵合…
ROHM Semiconductor Nano Cap? 650V GaN HEMT功率級(jí)IC設(shè)計(jì)用于要求苛刻的電子系統(tǒng)。
描述：
BM3G007MUV-LBE2器件非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。通過(guò)將650V增強(qiáng)型GaN HEMT和Si驅(qū)動(dòng)器集成于ROHM自有封裝，與以往的分立解決方案相比，由PCB布線和引線鍵合引起的寄生電感大大降低，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)150V/ns的開(kāi)關(guān)速度。另外，其柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度可調(diào)節(jié)，這非常有助于降低EMI。該產(chǎn)品還內(nèi)置各種保護(hù)功能和其他附加功能，可優(yōu)化成本和PCB尺寸。該IC的設(shè)計(jì)旨在通用于現(xiàn)有的主要控制器，因此也可以替代SJ MOSFET等以往的分立功率開(kāi)關(guān)。
特征：
Nano CAP?集成輸出可選5V LDO
為工業(yè)應(yīng)用提供長(zhǎng)期支持產(chǎn)品
寬工作范圍，適用于VDD 引腳電壓
IN引腳電壓的寬工作范圍
低VDD 靜態(tài)和工作電流
低傳播延遲
高dv/dt抗噪性
可調(diào)柵極驅(qū)動(dòng)器強(qiáng)度
電源良好信號(hào)輸出
VDD UVLO保護(hù)
熱關(guān)斷保護(hù)
應(yīng)用：
工業(yè)設(shè)備
電源與大功率密度
高效需求
橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如圖騰柱PFC
LLC電源
適配器
時(shí)間：2025-05-17
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