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最新資訊F3L8MR12W2M1HPB11模塊是一款英飛凌EasyPACK? 2B 1200 V / 8 mΩ 三電平模塊，采用具有增強(qiáng)型第一代溝槽技術(shù)的CoolSiC? MOSFET、集成式NTC溫度傳感器、預(yù)涂熱界面材料和PressFIT 壓接技術(shù)。特性? 電氣特性- VDSS = 1200 V- IDN = 100 A / IDRM = 200 A- 高電流密度- 低…
F3L8MR12W2M1HPB11模塊是一款英飛凌EasyPACK? 2B 1200 V / 8 mΩ 三電平模塊，采用具有增強(qiáng)型第一代溝槽技術(shù)的CoolSiC? MOSFET、集成式NTC溫度傳感器、預(yù)涂熱界面材料和PressFIT 壓接技術(shù)。
特性
? 電氣特性
- VDSS = 1200 V
- IDN = 100 A / IDRM = 200 A
- 高電流密度
- 低開(kāi)關(guān)損耗
? 機(jī)械特性
- 集成的安裝夾使安裝堅(jiān)固
- 集成 NTC 溫度傳感器
- PressFIT 壓接技術(shù)
- 預(yù)涂導(dǎo)熱介質(zhì)
應(yīng)用
? 太陽(yáng)能應(yīng)用
? 三電平應(yīng)用
? 電動(dòng)車(chē)直流充電
產(chǎn)品認(rèn)證
? 根據(jù) IEC 60747、60749 和 60068 標(biāo)準(zhǔn)的相關(guān)測(cè)試，符合工業(yè)應(yīng)用的要求。
時(shí)間：2025-05-17
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