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推出針對 614 Mbps 至 3.125 Gbps 收發(fā)器應用— 5CSEBA5U23C7N FPGA

來源：本站時間：2024-10-19瀏覽數(shù)：

描述：5CSEBA5U23C7N是基于臺積電 28 納米低功耗 (28LP) 工藝技術構建而成的Cyclone V SE SoC FPGA。它提供一個 8 輸入自適應邏輯模塊 (ALM) 和精度可調數(shù)字信號處理 (DSP) 模塊，可支持高達 13.59 兆位 (Mb) 的嵌入式內(nèi)存。該系列在單個 Cyclone V 片上系統(tǒng) (SoC) 中緊密…

描述：

5CSEBA5U23C7N是基于臺積電 28 納米低功耗 (28LP) 工藝技術構建而成的Cyclone? V SE SoC FPGA。它提供一個 8 輸入自適應邏輯模塊 (ALM) 和精度可調數(shù)字信號處理 (DSP) 模塊，可支持高達 13.59 兆位 (Mb) 的嵌入式內(nèi)存。

該系列在單個 Cyclone? V 片上系統(tǒng) (SoC) 中緊密集成了雙核 ARM? Cortex?-A9 MPCore 處理器、硬核 IP 和 FPGA。它支持超過 128 Gbps 的峰值帶寬，在處理器和 FPGA 架構之間集成了數(shù)據(jù)一致性。

主要功能

嵌入式內(nèi)存塊

M10K：具有軟糾錯碼 (ECC) 的 10 千位 (Kb) 內(nèi)存塊。

內(nèi)存邏輯陣列塊 (MLAB)：640 位分布式 LUTRAM，最多可將 25% 的 ALM 用作 MLAB 內(nèi)存。

通用 I/O

875 兆位每秒 (Mbps) 的低壓差分信號 (LVDS) 接收器和 840 Mbps 的 LVDS 發(fā)射器。

400 MHz/800 Mbps 外部內(nèi)存接口。

片上終端 (OCT)。

支持 3.3 V 電壓，驅動強度高達 16 mA。

外部內(nèi)存接口

在 Cyclone? V SoC 設備上，HPS 中的額外硬核內(nèi)存控制器支持 DDR3、DDR2 和 LPDDR2 SDRAM 設備。